高带宽、低功耗，HMC内存的两大卖点
　　HMC内存与现有的DRAM内存相比，最大的优点就是超高的带宽。在2011年的英特尔IDF大会上，英特尔与美光公司首次展示了包含4个内存层的HMC内存原型。在主板能够提供相应支持的情况下，它能以128Gbps的速率传输数据，相比于4GB DDR3内存的10.7Gbps有接近12倍的提升。同时与当前DRAM模块中缓慢的并行接口不同，HMC内存在TSV硅穿孔技术的支持下，芯片垂直堆栈与逻辑层之间的带宽高达1Tbps，相比目前最新的DDR3内存11Gbps的传输速度，创新的接口可以确保每个HMC内存模块的性能都在DDR3模块的15倍以上。
　　此外，得益于逻辑芯片的智能内存管理技术，HMC内存的能耗优势也相当明显，传输每比特数据的能耗比三星RDIMM内存模块低30%。理论上，HMC内存比目前DDR3内存传输每比特数据的能耗要低70%。此外由于HMC内存的密度增加，且体积变小，所使用的空间只有现今DIMM内存的10%，使得每台机器将可容纳更多的内存。


前景似锦，如何降身价仍是个问题
　　尽管美光已经宣布开始出货HMC内存的样品，但这种新产品首先将应用于超级计算机等高性能领域，进入消费级市场那就得等到2015~2016年了。由于HMC内存拥有一个非常紧凑的结构，体积大大减小，功耗较低等优点，未来HMC内存还将应用到智能手机、平板电脑上。
　　这一切看似很美，事实上，从HMC内存问世至今，成本便一直是最令人诟病的问题，其引以为豪的TSV硅穿孔技术就是成本居高不下的罪魁祸首。大多数情况下TSV硅穿孔技术都需要打通不同材料层，包括硅材料、IC中各种绝缘或导电的薄膜层，而这里面蚀刻工艺是关键，这对厂商的制程工艺提出了更高的要求。高要求背后，也意味着高成本。采用TSV硅穿孔技术之后，每片晶圆将会增加约100~120美元的成本，这显然是不能满足内存成本效益需求。根据半导体厂商和制造设备厂商的说法，应用TSV硅穿孔技术可接受的成本是每片晶圆50美元，这在目前仍然非常有难度。另外，由于TSV硅穿孔技术牵涉到如执行的位置、钻孔的方式、互连的方法等问题仍未有明确的公开标准。因此，为了使HMC生产有个统一的标准，HMC联盟也随之诞生了。
　　HMC联盟是由美光、三星主导、专门针对HMC制订相应的标准的组织。目前包括IBM、微软、ARM、惠普、海力士在内的国际巨头都已经加入了加入到HMC联盟中，开发成员所涉及的领域涵盖芯片、服务器、内存、软件系统等。值得一提的是，英特尔很久以前就与美光有合作开发HMC，但英特尔却并没有加入到HMC联盟中。


HMC联盟成员名单，但是很久以前就与美光有合作开发HMC的英特尔却没加入到这一联盟