搜索到"半導(dǎo)體"的結(jié)果:共計59條信息
IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)震蕩,導(dǎo)巨頭面臨沖擊 [2023/10/7 9:16:18]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 慮到這種調(diào)整將會持續(xù)到2024財年上年(2024年3月底),高通在全球超5萬名的雇員勢必要受到不小的沖擊。02市場需求仍處弱勢高通在支出上走向保守,離不開手機市場低迷以及前兩年盲目擴張帶來的包袱。高通主 全文
導(dǎo)未來三大支柱:先進封裝、晶管和互連 [2024/12/23 19:32:01]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 英特爾在前沿技術(shù)領(lǐng)域的探索和布局具有行業(yè)標桿意義,其發(fā)布的技術(shù)路線圖和成果為導(dǎo)行業(yè)提供了重要參考方向。在IEDM 2024大會上,英特爾發(fā)布了7篇技術(shù)論文,展示了多個關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新進展 全文
第四代導(dǎo)金屬鍺價格飆升 美國儲量第一不開采 [2024/6/27 10:39:45]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 錠及二氧化鍺價格應(yīng)聲上漲。除無人機領(lǐng)域外,鎵、諸是導(dǎo)關(guān)鍵金屬,它們也都是戰(zhàn)略性電子材料。因為它們屬于第四代導(dǎo)材料,相比前幾代在光譜相應(yīng)范圍和遷移率上都 全文
導(dǎo)兩大技術(shù)出口被管制 國產(chǎn)替代還要多久 [2024/6/13 9:49:59]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 美國官員何時會做出最終決定。值得注意的是,1個月前,美國再次修訂了導(dǎo)出口管制措施,對美國2023年10月17日發(fā)布的導(dǎo)出口管制規(guī)則進行修訂。對此,3月底,中國商 全文
高畫質(zhì)、高速度,索尼導(dǎo)發(fā)布工業(yè)用8K寬幅全局快門圖像傳感器 [2024/6/27 14:21:18]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 索尼導(dǎo)解決方案公司(以下簡稱“SSS”)即將推出一款新型全局快門CMOS圖像傳感器“IMX901”。這款傳感器為水平8K分辨率,具有約1641萬有效像素,并具備寬屏幕比例。該產(chǎn)品與在工業(yè)領(lǐng)域廣泛 全文
英特爾實現(xiàn)3D先進封裝技術(shù)的大規(guī)模量產(chǎn) [2024/1/25 20:31:34]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 的大規(guī)模量產(chǎn) 2024-01-25 13:56 發(fā)布于:湖北省英特爾宣布已實現(xiàn)基于業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)封裝解決方案的大規(guī)模生產(chǎn),其中包括英特爾突破性的3D封裝技術(shù)Foveros,該技術(shù)為多種芯片的組合 全文
英特爾CEO帕特·基辛格:AI正推動業(yè)界進入創(chuàng)新黃金時代,影響力堪稱空前 [2024/6/7 9:56:26]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 在2024臺北國際電腦展上,英特爾公司首席執(zhí)行官帕特·基辛格(Pat Gelsinger)在主題演講中深入闡述了英特爾的AI戰(zhàn)略,并介紹了英特爾產(chǎn)品組合如何實現(xiàn)公司“讓AI無處不在”的愿景。 基辛格指出,正如互聯(lián)網(wǎng)已經(jīng) 全文
壓是壓不住的,一季度中芯國際晶圓代工份額全球第三 [2024/5/28 9:52:44]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 示驅(qū)動IC(DDIC)應(yīng)用的需求開始復(fù)蘇,中芯國際在2024年第一季度的代工收入市場份額首次穩(wěn)居第三位?!?2不懼制裁逆境中成長的本土芯片代工企業(yè)在全球導(dǎo)產(chǎn)業(yè)的版圖中,中芯國際曾寄托著中 全文
英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進展 [2024/12/11 20:10:30]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 ,助力推動導(dǎo)行業(yè)在下一個十年及更長遠的發(fā)展。具而言,在新材料方面,減成法釕互連技術(shù)(subtractive Ruthenium)最高可將線間電容降低25%①,有助于改善芯片內(nèi)互連。英特爾代工 全文
揭秘Intel 3:助力新一代產(chǎn)品性能、能效雙飛躍! [2024/6/14 14:32:02]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 Intel 3打造。Intel 3制程工藝如何助力新產(chǎn)品實現(xiàn)飛躍?與上一個制程節(jié)點Intel 4相比,Intel 3實現(xiàn)了約0.9倍的邏輯微縮和17%的每瓦性能提升。導(dǎo)行業(yè)目前的慣例是,制程節(jié)點的命名不再根據(jù) 全文
國內(nèi)晶圓代工廠能開啟“賺錢”模式嗎 [2024/6/19 10:05:36]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 01臺積電或?qū)有乱惠啙q價談判導(dǎo)新一輪漲價潮或許即將開啟。繼華虹導(dǎo)傳出漲價計劃后,臺積電也即將漲價。據(jù)臺灣工商時報今日消息,臺積電3nm代工報價漲幅或在5 全文
繞開EUV光刻機的光芯片,有什么能耐? [2023/11/6 9:32:22]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 單元計算性能,ITFlops表示處理器每秒計算1萬億浮點運算的能力02光芯片,如何工作?光芯片按功能可分為激光器芯片和探測器芯片兩類,激光器芯片以導(dǎo)材料為增益介質(zhì),將注入電流的電能激發(fā) 全文
英特爾:最新節(jié)點上的產(chǎn)品設(shè)計和工藝準備進展順利,已具備更早地過渡到Intel 18A的能力 [2024/9/6 12:11:52]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 英特爾即將實現(xiàn)“四年五個制程節(jié)點”計劃,將提前把工程資源從Intel 20A投入到Intel 18A,按計劃于2025年推出Intel 18A。Intel 18A在晶圓廠里的生產(chǎn)良好,良率表現(xiàn)優(yōu)秀,基于Intel 18A的產(chǎn)品已上電運行并順利啟動操 全文
Intel 18A雙重引擎:RibbonFET搭配PowerVia如何提升芯片性能 [2025/3/21 10:29:47]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 在全球數(shù)字化浪潮洶涌推進的今天,導(dǎo)作為現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)的基石,其重要性不言而喻。市場研究公司國際數(shù)據(jù)公司(IDC)發(fā)布的《全球導(dǎo)技術(shù)供應(yīng)鏈情報報告》顯示,全 全文
超越界限,機會何方?DIC EXPO 2023對話默克電子科技 [2023/9/4 10:02:10]
新聞資訊 2023 年 8 月 29-31 日,全球領(lǐng)先的科技公司默克旗下電子科技業(yè)務(wù)亮相 2023 中國(上海)國際顯示技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展(DIC EXPO),展示了在顯示和導(dǎo)材料、數(shù)字光學方面的最新研究成果和對可 全文
英特爾IEDM 2024技術(shù)突破:超快速芯片間封裝、業(yè)界首創(chuàng)晶管、減成法釕互連 [2024/12/24 19:36:23]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 芯東西12月16日報道,在IEDM 2024(2024年IEEE國際電子器件會議)上,英特爾代工展示了包括先進封裝、晶管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項技術(shù)突破,以助力推動導(dǎo)行業(yè)在下一個十年及 全文
產(chǎn)業(yè)變遷中的國產(chǎn)EDA:并購、挑戰(zhàn)與未來的本土化路徑 [2024/5/9 14:09:42]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 市場內(nèi)卷,如今的國產(chǎn)EDA碩果與爭議并存。如今站在導(dǎo)產(chǎn)業(yè)周期底部的特殊節(jié)點,業(yè)界是否能對國產(chǎn)EDA的發(fā)展道路有更清晰的認識?未來路又在何方?接下來我們將探索這一系列問題。一、EDA行業(yè) 全文
AMD之前,它和Intel掰手腕差點贏了 [2024/8/20 9:20:01]
裝機升級-CPU Jerry Rogers)和Tom Brightman共同創(chuàng)立。兩人都出自80年代美國導(dǎo)“黃埔軍?!钡轮輧x器。起初,Cyrix專注于為286和386 CPU生產(chǎn)高速x87數(shù)學協(xié)處理器,這些協(xié)處理器在性能上... Semiconducto 全文
滿足更高算力需求,英特爾率先推出用于下一代先進封裝的玻璃基板 [2023/9/20 16:59:43]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞 載打造高密度、高性能的芯片封裝。英特爾有望在未來幾年內(nèi)向市場提供完整的玻璃基板解決方案,從而使整個行業(yè)在2030年之后繼續(xù)推進摩爾定律。 到2020年代末期,導(dǎo)行業(yè)在使用有機材料 全文
技術(shù)前沿:“環(huán)抱”晶管與“三明治”布線 [2024/9/12 12:19:39]
新聞資訊-IT業(yè)界-新聞導(dǎo)制程技術(shù)的前沿,英特爾正穩(wěn)步推進其“四年五個制程節(jié)點”計劃,加速實現(xiàn)在2025年推出尖端的制程節(jié)點Intel 18A。今天,我們將介紹英特爾的兩項突破性技術(shù):RibbonFET全環(huán)繞柵極晶 全文
第一頁上一頁123下一頁尾頁